Главная | ЮФУ | Добавить новость | Контакты | Карта сайта


Физический факультет ЮФУ (Физфак РГУ)
















Правила приема

Физика

Радиофизика

Техническая физика

Ядерные физика и технологии

Доп. квалификация «Системный инженер»

Специальность 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»



Опубликовано: 19 марта 2009г.Translate to english  Версия для печати


В основе современной микроэлектроники и твердотельной электроники лежат три фундаментальных открытия, отмеченные Нобелевскими премиями. В 1947 г. Бардиным, Шокли и Браттайном открыт транзисторный эффект и создан транзистор. В 1956 году это достижение было отмечено Нобелевской премией. В 1958 г. Килби изготовил на кристалле германия простейшую интегральную схему, при сборке которой вместо использования транзисторов и пассивных элементов (резисторов и конденсаторов) все элементы впервые были размещены в одном кристалле. В дальнейшем оказалось, что при изготовлении интегральных схем можно использовать принципиально новый подход – групповую технологию, при которой одновременно изготавливается огромное количество элементов на кристалле. Это дало возможность создавать устройства, в которых число элементов в миллионы раз больше, чем в схемах, собиравшихся обычным способом. Современные процессоры в стандартных компьютерах содержат около 108 транзисторов. За идею интегральных схем в 2000 г. Килби был удостоен Нобелевской премии. В 1963 г. Алфёров, Казаринов и Крёмер предложили конструкцию инжекционного лазера на двойной гетероструктуре, подобной структуре биполярного транзистора. За работы по гетероструктурам Алфёров и Крёмер в 2000 г. удостоены Нобелевской премии.
Успехи в области твердотельной электроники и микроэлектроники привели к созданию современной радиосвязи и телевидения, компьютерной техники и интернета, огромного разнообразия цифровой техники – сотовые телефоны, цифровые фото- и видеокамеры. В настоящее время специалисты в этой области манипулируют отдельными атомами, разработаны приборы, способные управлять поведением одного электрона (одноэлектронные транзисторы), и детектировать отдельные кванты света. Для успешной работы в области твердотельной электроники и микроэлектроники необходимо широкое университетское образование – фундаментальное знание физики, математики, современного материаловедения.

Обучающиеся по специальности 200100 студенты изучают возможности создания и свойства активных (smart) твердотельных материалов, составляющих элементную базу современной твердотельной электроники, и получают фундаментальную подготовку по физике твердого тела, физике полупроводников, физике диэлектриков, современным полупроводниковым технологиям, микро-, опто- и акустоэлектронике, компьютерному моделированию. Большое внимание уделяется основам программирования и использованию информационных технологий в учебном процессе. Выполняемые по специальности 200100 курсовые, дипломные и диссертационные работы являются составными частями планов научно-исследовательской работы кафедр физфака и организаций (НИИ физики ЮФУ, «Пьезоприбор», Ростовский НИИ радиосвязи – РНИИРС и др.), с которыми поддерживаются тесные контакты. Все это открывает широкие возможности для работы выпускников в условиях рыночной экономики.

Подготовкой инженеров по специальности 200100 занимается кафедра физики полупроводников (КФПП) ЮФУ. Срок обучения – 5 лет. Обучение осуществляется высококвалифицированными преподавателями физического, механико-математического, химического и других факультетов ЮФУ. Непременной частью подготовки студентов является их участие в научных конференциях. Лучшие научные работы, выполненные сотрудниками и студентами КФПП, публикуются в трудах Международных, Всероссийских и региональных научных конференций и направляются в центральную печать и международные научные журналы. Так, только за последние 3 года обучающиеся на КФПП по специальности 200100 студенты выступили с докладами на 56 научных и научно-методических конференциях и опубликовали 60 научных работ. Ряд выпускников КФПП обучается в аспирантуре физического факультета и НИИ физики ЮФУ и работает в вузах и институтах Ростова-на-Дону, России, стран СНГ, Германии, США. Большой интерес к специалистам этого профиля проявляет РНИИРС. Установлены и поддерживаются научные контакты с зарубежными научными группами и учеными.


« назад на главную наверх